IRGIB15B60KD1P vs IRGIB6B60KDPBF

Это подробное сравнение IRGIB15B60KD1P и IRGIB6B60KDPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4013 ПКС
Package: TO-220-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Part B

IRGIB6B60KDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 7268 ПКС
Package: TO-220-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB6B60KDPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	11 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	22 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	2.2V @ 15V, 5A
Power - Max	52 W	38 W
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	110µJ (on), 135µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	56 nC	18.2 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	25ns/215ns
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	70 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ