IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B120KDPBF

Это подробное сравнение IRGP35B60PDPBF и IRGP30B120KDPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3801 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRGP30B120KDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7687 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRGP35B60PDPBF IRGP30B120KDPBF
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 4V @ 15V, 60A
Power - Max 308 W 300 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 169 nC
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 300 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns -
Compare RFQ