IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

Это подробное сравнение IRGP35B60PDPBF и IRGP35B60PD-EP предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3801 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRGP35B60PD-EP

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2708 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PD-EP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
IGBT Type NPT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.55V @ 15V, 35A 2.55V @ 15V, 35A
Power - Max 308 W 308 W
Switching Energy 220µJ (on), 215µJ (off) 220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 160 nC
Td(on / off) @ 25°C 26ns/110ns 26ns/110ns
Test Condition 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ