IRLML0030TRPBF vs IRLML2502TRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRLML2502TRPBF и IRLML0030TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRLML2502TRPBF

+БОМ

1725 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRLML0030TRPBF

+БОМ

4058 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOT-23
Описание MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
Base Product Number IRLML2502 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±12V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 382 pF @ 15 V
Модель сравнения : IRLML2502TRPBF IRLML0030TRPBF

+БОМ RFQ