IRLML2803TRPBF vs IRLML2502TRPBF
Это подробное сравнение IRLML2502TRPBF и IRLML2803TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOT-23
Описание
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRLML2502
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.2A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
-
Vgs (Max)
±12V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
540mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
