IRLML0030TRPBF vs IRLML2030TRPBF

Это подробное сравнение IRLML0030TRPBF и IRLML2030TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML0030TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4058 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRLML2030TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4830 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML0030TRPBF	IRLML2030TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.3A (Ta)	2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	27mOhm @ 5.2A, 10V	100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.3V @ 25µA	2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.6 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	382 pF @ 15 V	110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ