IRS2011STRPBF vs IRS2001STRPBF

Это подробное сравнение IRS2011STRPBF и IRS2001STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2011STRPBF

+БОМ

2833 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS2001STRPBF

+БОМ

6351 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status - Not For New Designs
DigiKey Programmable - Not Verified
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply - 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 290mA, 600mA
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 70ns, 35ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - IRS2001
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 200 V
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.7V, 2.5V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1A, 1A -
InputType Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 200 V -
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 15ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : IRS2011STRPBF IRS2001STRPBF

+БОМ RFQ