IRS21531DSTRPBF vs IRS2113STRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS2113STRPBF и IRS21531DSTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2113STRPBF

+БОМ

9802 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS21531DSTRPBF

+БОМ

3173 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 8N
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Base Product Number IRS2113 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 15.4V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2.5A, 2.5A -
Input Type Non-Inverting RC Input Circuit
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Current - Peak Output(Source Sink) - 180mA, 260mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 120ns, 50ns
Модель сравнения : IRS2113STRPBF IRS21531DSTRPBF

+БОМ RFQ