IRS21531DSTRPBF vs IRS21171STRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS21531DSTRPBF и IRS21171STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS21531DSTRPBF

+БОМ

3173 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS21171STRPBF

+БОМ

8454 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 8N SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Synchronous Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA 290mA, 600mA
Input Type RC Input Circuit Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns 75ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS21531DSTRPBF IRS21171STRPBF

+БОМ RFQ