IRS21531DSTRPBF vs IRS21867STRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRS21867STRPBF и IRS21531DSTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS21867STRPBF

+БОМ

4883 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS21531DSTRPBF

+БОМ

3173 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 8N SOIC 8N
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 15.4V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 180mA, 260mA
Input Type CMOS, TTL RC Input Circuit
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 22ns, 18ns 120ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS21867STRPBF IRS21531DSTRPBF

+БОМ RFQ