IRS2153DSTRPBF vs IRS2117SPBF

Это подробное сравнение IRS2153DSTRPBF и IRS2117SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2153DSTRPBF

+БОМ

7156 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS2117SPBF

+БОМ

3267 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side
ChannelType Synchronous Single
NumberofDrivers 2 1
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 180mA, 260mA 290mA, 600mA
InputType RC Input Circuit Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 120ns, 50ns 75ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS2153DSTRPBF IRS2117SPBF

+БОМ RFQ