IRS2181STRPBF vs IRS2186STRPBF

Это подробное сравнение IRS2186STRPBF и IRS2181STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRS2186STRPBF

+БОМ

3406 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRS2181STRPBF

+БОМ

5666 ПКС | Международный исправитель
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IRS2181 - GATE DRIVER
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 1.9A, 2.3A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 22ns, 18ns 40ns, 20ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRS2186STRPBF IRS2181STRPBF

+БОМ RFQ