ISL2111BR4Z-T vs ISL2100AAR3Z

Это подробное сравнение ISL2111BR4Z-T и ISL2100AAR3Z предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL2111BR4Z-T

+БОМ

3883 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL2100AAR3Z

+БОМ

8251 ПКС | Интерсил
Пакет DFN-8 DFN-9
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge Active
ChannelType Independent Half-Bridge
NumberofDrivers 2 Independent
GateType N-Channel MOSFET 2
Voltage-Supply 8V ~ 14V N-Channel MOSFET
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 9V ~ 14V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3.7V, 7.4V
InputType Non-Inverting 2A, 2A
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 114 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) 10ns, 10ns
MountingType Surface Mount -40°C ~ 125°C (TJ)
Series - Bulk
Модель сравнения : ISL2111BR4Z-T ISL2100AAR3Z

+БОМ RFQ