ISL2111BR4Z-T vs ISL2111ARTZ

Это подробное сравнение ISL2111BR4Z-T и ISL2111ARTZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL2111BR4Z-T

+БОМ

3883 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL2111ARTZ

+БОМ

7925 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет DFN-8 WDFN-10
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 8V ~ 14V 8V ~ 14V
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3A, 4A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : ISL2111BR4Z-T ISL2111ARTZ

+БОМ RFQ