ISL6612ACBZ vs ISL6605CBZ

Это подробное сравнение ISL6612ACBZ и ISL6605CBZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL6612ACBZ

+БОМ

5184 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL6605CBZ

+БОМ

4759 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10.8V ~ 13.2V 4.5V ~ 5.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.25A, 2A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 36 V 33 V
Rise/FallTime(Typ) 26ns, 18ns 8ns, 8ns
OperatingTemperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
LogicVoltage-VILVIH - 1V, 2V
Модель сравнения : ISL6612ACBZ ISL6605CBZ

+БОМ RFQ