ISL6612ACBZ vs ISL6608CB Сравнение

Это подробное сравнение ISL6612ACBZ и ISL6608CB предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
ISL6612ACBZ

+БОМ

5184 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
ISL6608CB

+БОМ

5311 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Last Time Buy Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10.8V ~ 13.2V 4.5V ~ 5.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.25A, 2A 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 36 V 22 V
Rise / Fall Time(Typ) 26ns, 18ns 8ns, 8ns
Operating Temperature 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : ISL6612ACBZ ISL6608CB

+БОМ RFQ