JANTX2N7236 vs JANTX2N2329

Это подробное сравнение JANTX2N7236 и JANTX2N2329 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N7236

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
2916 ПКС
Package
TO-254AA
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

JANTX2N2329

Технология микрочипов

Lifecycle
Active
Stock
6723 ПКС
Package
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Series
Тиристоры - SCR
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification JANTX2N7236 JANTX2N2329
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/276
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Off State - 400 V
Voltage - Gate Trigger(Vgt)(Max) - 800 mV
Current - Gate Trigger(Igt)(Max) - 200 µA
Current - On State(It(AV))(Max) - 220 mA
Current - Hold(Ih)(Max) - 2 mA
SCR Type - Sensitive Gate
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 125°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 18A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 125W (Tc) -
Compare RFQ