JANTX2N7236 vs JANTXV2N2857

Это подробное сравнение JANTX2N7236 и JANTXV2N2857 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N7236

корпорации Microsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2916 ПКС
Package: TO-254AA
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

JANTXV2N2857

корпорации Microsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9036 ПКС
Package: TO-72-3
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	JANTX2N7236	JANTXV2N2857
Supplier	-	Microchip Technology
Series	Military, MIL-PRF-19500/595	Military, MIL-PRF-19500/343
Part Status	Obsolete	Obsolete
Transistor Type	-	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	-	15V
Frequency - Transition	-	500MHz
Noise Figure(d B Typ @ f)	-	4.5dB @ 450MHz
Gain	-	12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max	-	200mW
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	-	30 @ 3mA, 1V
Current - Collector(Ic)(Max)	-	40mA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
FET Type	P-Channel	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Tc)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	220mOhm @ 18A, 10V	-
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V	-
Vgs(Max)	±20V	-
Power Dissipation (Max)	4W (Ta), 125W (Tc)	-

Compare RFQ