LF353DR vs LF353DRE4

Это подробное сравнение LF353DR и LF353DRE4 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LF353DR

+БОМ

7226 ПКС | Техасские инструменты
LF353DRE4

+БОМ

7629 ПКС | Техасские инструменты
Пакет SOIC-8
Описание IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LF353DR LF353DRE4

+БОМ RFQ

Сопоставительный анализ