LF353DR vs LF353MX/NOPB

Это подробное сравнение LF353MX/NOPB и LF353DR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LF353MX/NOPB

+БОМ

1734 ПКС | Национальный полупроводник
LF353DR

+БОМ

7226 ПКС | Техасские инструменты
Пакет
Описание
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 4 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
Модель сравнения : LF353MX/NOPB LF353DR

+БОМ RFQ