LM258AYDT vs LM258DR2

Это подробное сравнение LM258AYDT и LM258DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
LM258AYDT

+БОМ

5642 ПКС | STМикроэлектроника
LM258DR2

+БОМ

7525 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Supplier STMicroelectronics onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series Automotive, AEC-Q100 -
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.6V/µs -
GainBandwidthProduct 1.1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 1 mV 2 mV
Current-Supply 700µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : LM258AYDT LM258DR2

+БОМ RFQ