MC33151DR2G vs MC33153D

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33153D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33151DR2G

+БОМ

6915 ПКС | Онсеми
MC33153D

+БОМ

8143 ПКС | Онсеми
Пакет 8-SOIC 8-SOIC
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V 11V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V 1.2V, 3.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A 1A, 2A
InputType Inverting Inverting
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns 17ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MC33151DR2G MC33153D

+БОМ RFQ