MC33171DR2G vs MC33151DR2G

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33171DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33151DR2G

+БОМ

6915 ПКС | Онсеми
MC33171DR2G

+БОМ

2683 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A -
InputType Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 1
SlewRate - 2.1V/µs
GainBandwidthProduct - 1.8 MHz
Current-InputBias - 20 nA
Voltage-InputOffset - 2 mV
Current-Supply - 220µA
Current-Output/Channel - 27 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 44 V
Модель сравнения : MC33151DR2G MC33171DR2G

+БОМ RFQ