MC33151DR2G vs MC33171DR2G

Это подробное сравнение MC33151DR2G и MC33171DR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33151DR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
6915 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

MC33171DR2G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
2683 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Линейные - Усилетели - Приборы, ОП Усилетели, Буферные Усилетели
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MC33151DR2G MC33171DR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 1
Slew Rate - 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product - 1.8 MHz
Current - Input Bias - 20 nA
Voltage - Input Offset - 2 mV
Supply Current - 220µA
Current - Output / Channel - 27 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 3 V
Voltage - Supply Span(Max) - 44 V
Compare RFQ