MC33171DR2G vs MC33151DR2

Это подробное сравнение MC33171DR2G и MC33151DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33171DR2G

+БОМ

2683 ПКС | Онсеми
MC33151DR2

+БОМ

8694 ПКС | Онсеми
Пакет 8-SOIC 8-SOIC
Описание IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 6.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 31ns, 32ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 1 -
SlewRate 2.1V/µs -
GainBandwidthProduct 1.8 MHz -
Current-InputBias 20 nA -
Voltage-InputOffset 2 mV -
Current-Supply 220µA -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V -
Модель сравнения : MC33171DR2G MC33151DR2

+БОМ RFQ