MCP14700T-E/MF vs MCP1403T-E/MF

Это подробное сравнение MCP14700T-E/MF и MCP1403T-E/MF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP14700T-E/MF

+БОМ

1228 ПКС | Технология микрочипов
MCP1403T-E/MF

+БОМ

9927 ПКС | Технология микрочипов
Пакет DFN-8 DFN-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.4V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 4.5A, 4.5A
InputType Non-Inverting Inverting
Rise/FallTime(Typ) 10ns, 10ns 15ns, 18ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 36 V -
Модель сравнения : MCP14700T-E/MF MCP1403T-E/MF

+БОМ RFQ