MCP6567T-E/SN vs MCP651T-E/SN

Это подробное сравнение MCP6567T-E/SN и MCP651T-E/SN предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP6567T-E/SN

+БОМ

2295 ПКС | Технология микрочипов
MCP651T-E/SN

+БОМ

8278 ПКС | Технология микрочипов
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC COMP DUAL 1.8V OD 8-SOIC IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Microchip Technology
Series - mCal Technology
ProductStatus Active Active
AmplifierType - General Purpose
NumberofCircuits - 1
OutputType CMOS, Open-Drain Rail-to-Rail
SlewRate - 30V/µs
GainBandwidthProduct - 50 MHz
Current-InputBias - 6 pA
Voltage-InputOffset - 200 µV
Current-Supply - 6mA
Current-Output/Channel - 100 mA
Voltage-SupplySpan(Min) - 2.5 V
Voltage-SupplySpan(Max) - 5.5 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Type General Purpose -
NumberofElements 2 -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 1.8V ~ 5.5V -
Voltage-InputOffset(Max) 10mV @ 5.5V -
Current-InputBias(Max) 1pA @ 5.5V -
Current-Output(Typ) 50mA -
Current-Quiescent(Max) 130µA -
CMRRPSRR(Typ) 66dB CMRR, 70dB PSRR -
PropagationDelay(Max) 80ns -
Hysteresis 5mV -
Модель сравнения : MCP6567T-E/SN MCP651T-E/SN

+БОМ RFQ