MCP6567T-E/SN vs MCP6562-E/SN

Это подробное сравнение MCP6562-E/SN и MCP6567T-E/SN предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MCP6562-E/SN

+БОМ

6410 ПКС | Технология микрочипов
MCP6567T-E/SN

+БОМ

2295 ПКС | Технология микрочипов
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC COMP DUAL 1.8V PP 8-SOIC IC COMP DUAL 1.8V OD 8-SOIC
ProductStatus Active Active
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 2 2
OutputType CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail, TTL CMOS, Open-Drain
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V
Voltage-InputOffset(Max) 10mV @ 5.5V 10mV @ 5.5V
Current-InputBias(Max) 1pA @ 5.5V 1pA @ 5.5V
Current-Output(Typ) 50mA 50mA
Current-Quiescent(Max) 130µA 130µA
CMRRPSRR(Typ) 66dB CMRR, 70dB PSRR 66dB CMRR, 70dB PSRR
PropagationDelay(Max) 80ns 80ns
Hysteresis 5mV 5mV
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MCP6562-E/SN MCP6567T-E/SN

+БОМ RFQ