MMBFJ108 vs MMBFJ202
Это подробное сравнение MMBFJ202 и MMBFJ108 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-236-3
TO-236-3
Описание
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
25 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
80 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
3 V @ 10 nA
Power-Max
350 mW
350 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Resistance-RDS(On)
-
8 Ohms
