MMBFJ202 vs MMBFJ108

Это подробное сравнение MMBFJ202 и MMBFJ108 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ202

Компания Fairchild Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
24610 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - JFET
Part B

MMBFJ108

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9924 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - JFET

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ202 MMBFJ108
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 40 V 25 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V 80 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA 3 V @ 10 nA
Power - Max 350 mW 350 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Rds On - 8 Ohms