MMBFJ309LT1G vs MMBFJ175

Это подробное сравнение MMBFJ309LT1G и MMBFJ175 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ309LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3774 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ175

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4879 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ309LT1G MMBFJ175
Supplier - onsemi,Flip Electronics
Part Status Active Obsolete
FET Type - P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 3 V @ 10 nA
Rds On - 125 Ohms
Power - Max - 225 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Transistor Type N-Channel JFET -
Current Rating (Amps) 30mA -
Voltage - Rated 25 V -
Compare RFQ