MMBFJ310LT1G vs MMBFJ113

Это подробное сравнение MMBFJ113 и MMBFJ310LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBFJ113

+БОМ

3556 ПКС | Онсеми
MMBFJ310LT1G

+БОМ

7096 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-23 SOT23-3
Описание JFET N-CH 35V 350MW SOT23 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 35 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 500 mV @ 1 µA -
Resistance-RDS(On) 100 Ohms -
Power-Max 350 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage-Test - 10 V
CurrentRating(Amps) - 60mA
Current-Test - 10 mA
Voltage-Rated - 25 V
Модель сравнения : MMBFJ113 MMBFJ310LT1G

+БОМ RFQ