MMBFJ310LT1G vs MMBFJ175

Это подробное сравнение MMBFJ310LT1G и MMBFJ175 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBFJ310LT1G

+БОМ

7096 ПКС | Онсеми
MMBFJ175

+БОМ

4879 ПКС | Онсеми
Пакет SOT23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Supplier - onsemi,Flip Electronics
ProductStatus Active Obsolete
FETType - P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) - 30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) - 7 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id - 3 V @ 10 nA
Resistance-RDS(On) - 125 Ohms
Power-Max - 225 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
TransistorType N-Channel JFET -
Gain 12dB -
Voltage-Test 10 V -
CurrentRating(Amps) 60mA -
Current-Test 10 mA -
Voltage-Rated 25 V -
Модель сравнения : MMBFJ310LT1G MMBFJ175

+БОМ RFQ