MMBFJ177LT1G vs MMBFJ310LT1G

Это подробное сравнение MMBFJ177LT1G и MMBFJ310LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ177LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4949 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - JFET
+БОМ RFQ
Part B

MMBFJ310LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7096 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - РФ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBFJ177LT1G MMBFJ310LT1G
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 60mA
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
Compare RFQ