MMBT5087LT1G vs MMBT5089LT1

Это подробное сравнение MMBT5087LT1G и MMBT5089LT1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5087LT1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
28578 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

MMBT5089LT1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5755 ПКС
Package
TO-236-3
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBT5087LT1G MMBT5089LT1
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 450 @ 1mA, 5V
Power - Max 300 mW 225 mW
Frequency - Transition 40MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) -
Compare RFQ