MMBT5087LT1G vs MMBT5089 Сравнение

Это подробное сравнение MMBT5087LT1G и MMBT5089 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MMBT5087LT1G

+БОМ

28578 ПКС | Онсеми
MMBT5089

+БОМ

4098 ПКС | Онсеми
Пакет TO-236-3 TO-236-3
Описание TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 400 @ 100µA, 5V
Power - Max 300 mW 350 mW
Frequency - Transition 40MHz 50MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MMBT5087LT1G MMBT5089

+БОМ RFQ