MRF5812GR1 vs MRF5812G

Это подробное сравнение MRF5812GR1 и MRF5812G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
5446 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
+БОМ RFQ
Part B

MRF5812G

корпорации Microsemi

Lifecycle
Active
Stock
7617 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MRF5812GR1 MRF5812G
Supplier - Microchip Technology
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 15V 15V
Frequency - Transition 5GHz 5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB
Power - Max 1.25W 1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max) 200mA 200mA
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ