MRF5812GR1 vs MRF5812R1

Это подробное сравнение MRF5812GR1 и MRF5812R1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

корпорации Microsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5446 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ

+БОМ RFQ

Part B

MRF5812R1

корпорации Microsemi

Lifecycle: Active
Stock: 5742 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - Биполярные (BJT) - РФ

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MRF5812GR1	MRF5812R1
Supplier	-	Microchip Technology
Part Status	Obsolete	Obsolete
Transistor Type	NPN	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	15V	15V
Frequency - Transition	5GHz	5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 500MHz	2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain	13dB ~ 15.5dB	13dB ~ 15.5dB
Power - Max	1.25W	1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	50 @ 50mA, 5V	50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max)	200mA	200mA
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ