MT29F2G08ABAEAH4-IT:E vs MT29F1G08ABAEAH4:E Сравнение

Это подробное сравнение MT29F1G08ABAEAH4:E и MT29F2G08ABAEAH4-IT:E предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MT29F1G08ABAEAH4:E

+БОМ

2382 ПКС | Компания Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

+БОМ

3540 ПКС | Компания Micron Technology Inc.
Пакет
Описание IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
Part Status Obsolete Last Time Buy
Base Product Number MT29F1G08 MT29F2G08
Digi Key Programmable Verified Verified
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NAND FLASH - NAND
Memory Size 1Gbit 2Gbit
Memory Organization 128M x 8 256M x 8
Memory Interface Parallel Parallel
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Bulk Tray
Модель сравнения : MT29F1G08ABAEAH4:E MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

+БОМ RFQ