MUN5111T1G vs MUN5112T1 Сравнение

Это подробное сравнение MUN5111T1G и MUN5112T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MUN5111T1G

+БОМ

2851 ПКС | Онсеми
MUN5112T1

+БОМ

3009 ПКС | Онсеми
Пакет SC-70
Описание TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V -
Resistor - Base(R1) 10 kOhms -
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 202 mW -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : MUN5111T1G MUN5112T1

+БОМ RFQ