MUN5111T1G vs MUN5133DW1T1 Сравнение

Это подробное сравнение MUN5111T1G и MUN5133DW1T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MUN5111T1G

+БОМ

2851 ПКС | Онсеми
MUN5133DW1T1

+БОМ

9958 ПКС | Онсеми
Пакет SC-70 SC-88
Описание TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 202 mW 385mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MUN5111T1G MUN5133DW1T1

+БОМ RFQ