MUN5211DW1T1G vs MUN5214T1

Это подробное сравнение MUN5211DW1T1G и MUN5214T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5211DW1T1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4451 ПКС
Package
SOT-363-6
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ
Part B

MUN5214T1

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
8162 ПКС
Package
SOT-323
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MUN5211DW1T1G MUN5214T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 10 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms 47 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ