MUN5211DW1T1G vs MUN5232T1 Сравнение

Это подробное сравнение MUN5211DW1T1G и MUN5232T1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MUN5211DW1T1G

+БОМ

4451 ПКС | Онсеми
MUN5232T1

+БОМ

7257 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-363-6 SOT-323
Описание TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms 4.7 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MUN5211DW1T1G MUN5232T1

+БОМ RFQ