MUN5330DW1T1G vs MUN5335DW1T2

Это подробное сравнение MUN5330DW1T1G и MUN5335DW1T2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5330DW1T1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
16706 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ
Part B

MUN5335DW1T2

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3602 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MUN5330DW1T1G MUN5335DW1T2
Supplier onsemi Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50V
Resistor - Base(R1) 1kOhms 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 1kOhms 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 3 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 5mA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 250mW -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ