NCP3420DR2G vs NCP3418D

Это подробное сравнение NCP3420DR2G и NCP3418D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCP3420DR2G

+БОМ

3022 ПКС | Онсеми
NCP3418D

+БОМ

9018 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Synchronous -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 4.6V ~ 13.2V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2V -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 35 V -
Rise/FallTime(Typ) 16ns, 11ns -
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : NCP3420DR2G NCP3418D

+БОМ RFQ