NCP3420DR2G vs NCP3418DR2

Это подробное сравнение NCP3420DR2G и NCP3418DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCP3420DR2G

+БОМ

3022 ПКС | Онсеми
NCP3418DR2

+БОМ

8581 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.6V ~ 13.2V 4.6V ~ 13.2V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2V 0.8V, 2V
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 35 V 30 V
Rise/FallTime(Typ) 16ns, 11ns 18ns, 10ns
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) 0°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : NCP3420DR2G NCP3418DR2

+БОМ RFQ