NCV5700DR2G vs NCV5701BDR2G

Это подробное сравнение NCV5700DR2G и NCV5701BDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCV5700DR2G

+БОМ

5660 ПКС | Онсеми
NCV5701BDR2G

+БОМ

9385 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-16 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
ChannelType Synchronous Single
NumberofDrivers - 1
GateType IGBT IGBT
Voltage-Supply 20V 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.75V, 4.3V 0.75V, 4.3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 7.8A, 6.8A 20mA, 15mA
InputType - Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9.2ns, 7.9ns 9.2ns, 7.9ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series Automotive, AEC-Q100 -
Модель сравнения : NCV5700DR2G NCV5701BDR2G

+БОМ RFQ