NCV5700DR2G vs NCV5701CDR2G Сравнение

Это подробное сравнение NCV5700DR2G и NCV5701CDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NCV5700DR2G

+БОМ

5660 ПКС | Онсеми
NCV5701CDR2G

+БОМ

3755 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-16 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Channel Type Synchronous Single
Number of Drivers - 1
Gate Type IGBT IGBT
Voltage - Supply 20V 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.75V, 4.3V 0.75V, 4.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 7.8A, 6.8A 20mA, 15mA
Input Type - Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 9.2ns, 7.9ns 9.2ns, 7.9ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series Automotive, AEC-Q100 -
Модель сравнения : NCV5700DR2G NCV5701CDR2G

+БОМ RFQ