NTJD4105CT1G vs NTJD4158CT2G

Это подробное сравнение NTJD4105CT1G и NTJD4158CT2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTJD4105CT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4611 ПКС
Package: SOT-363
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NTJD4158CT2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4942 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTJD4105CT1G	NTJD4158CT2G
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	-
FET Feature	Logic Level Gate	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V, 8V	-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	630mA, 775mA	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	375mOhm @ 630mA, 4.5V	-
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	46pF @ 20V	-
Power - Max	270mW	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

Compare RFQ