NTZD3155CT2G vs NTZD3152PT1H

Это подробное сравнение NTZD3155CT2G и NTZD3152PT1H предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTZD3155CT2G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6954 ПКС
Package: SOT-563
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

NTZD3152PT1H

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4069 ПКС
Package: SOT-666
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTZD3155CT2G	NTZD3152PT1H
Supplier	-	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	540mA, 430mA	430mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	550mOhm @ 540mA, 4.5V	900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	150pF @ 16V	175pF @ 16V
Power - Max	250mW	250mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ