NVMFD5877NLT1G vs NVMFD016N06CT1G Сравнение

Это подробное сравнение NVMFD5877NLT1G и NVMFD016N06CT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
NVMFD5877NLT1G

+БОМ

6114 ПКС | Онсеми
NVMFD016N06CT1G

+БОМ

2195 ПКС | Онсеми
Пакет TDFN-8 TDFN-8
Описание MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
Supplier onsemi onsemi
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Obsolete Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A 9A (Ta), 32A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V 16.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 10V 6.9nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 540pF @ 25V 489pF @ 30V
Power - Max 3.2W 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : NVMFD5877NLT1G NVMFD016N06CT1G

+БОМ RFQ