SI2301CDS-T1-E3 vs SI2302ADS-T1-E3

Это подробное сравнение SI2301CDS-T1-E3 и SI2302ADS-T1-E3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2301CDS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
2959 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

SI2302ADS-T1-E3

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
7595 ПКС
Package
SOT-23-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2301CDS-T1-E3 SI2302ADS-T1-E3
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.1A (Tc) 2.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 405 pF @ 10 V 300 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 700mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series TrenchFET® -
Compare RFQ